标签：BiDFET

IGBT发明者，新的目标

本文介绍了一种新型的功率转换器件——碳化硅（SiC）双向场效应晶体管（BiDFET），该器件由IGBT的发明者B. Jayant Baliga及其团队开发。BiDFET旨在为矩阵式转换...

AIGC动态

3个月前