IGBT发明者,新的目标

AIGC动态2个月前发布 admin
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IGBT发明者,新的目标

 

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【关 键 词】 碳化硅功率转换BiDFET光伏发电电机驱动

本文介绍了一种新型的功率转换器件——碳化硅(SiC)双向场效应晶体管(BiDFET),该器件由IGBT的发明者B. Jayant Baliga及其团队开发。BiDFET旨在为矩阵式转换器提供一种低导通压降和低开关损耗的解决方案,适用于光伏发电电机驱动和储能系统等多种应用。

BiDFET器件的发展分为两代。第一代BiDFET器件通过集成两个1.2kV SiC JBSFET于单个芯片中,实现了高电压阻断能力和低导通电阻。这种设计减少了器件数量,提高了效率,并且具有快速开关性能。第二代BiDFET器件则通过创新的芯片设计和工艺技术,进一步降低了MOSFET单元的特定导通电阻,提高了沟道密度,从而实现了更低的导通电阻和更高的性能。

BiDFET器件的封装采用了先进的替代方法,如使用超薄环氧树脂复合电介质(ERCD)替代传统的DBC,以降低成本并提高可靠性。研究人员还设计了双面模块结构,通过模拟和实验验证了BiDFET器件在恶劣环境下的运行性能。

BiDFET器件的应用潜力巨大,特别是在需要四象限开关的电路拓扑结构中,如电流源转换器、T型电压源转换器等。BiDFET的单片特性使得转换器设计更为紧凑、高效,且可靠性更高。例如,在太阳能光伏应用中,BiDFET器件被用于开发了一种单相、单级、隔离式交流-直流转换器,该转换器与传统的交流-直流隔离转换器相比,具有更小的体积和更高的可靠性。

实验结果表明,使用BiDFET的转换器在2.3kW、400VDC输入和277VRMS输出条件下,能够实现高效率和低总谐波失真。此外,第二代BiDFET器件的导通电阻更低,有望进一步提高转换器的效率。

总之,BiDFET器件的开发为功率转换系统带来了革命性的改进,其在多个领域的应用前景广阔,包括电动汽车传动系统、双向电动汽车充电器、工业电机驱动器等。BiDFET的成功应用将推动电力电子技术的发展,为实现更高效、更可靠的能源转换提供了新的可能性。

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【原文作者】 半导体行业观察
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