标签：碳化硅
IGBT发明者，新的目标
本文介绍了一种新型的功率转换器件——碳化硅（SiC）双向场效应晶体管（BiDFET），该器件由IGBT的发明者B. Jayant Baliga及其团队开发。BiDFET旨在为矩阵式转换...
SiC，需求如何？
碳化硅（SiC）作为一种性能优异的半导体材料，在高功率应用领域，尤其是电动汽车（EV）动力系统中的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）应用中，展现出巨...
第三代半导体发展现状及未来展望
第三代半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），因其在光电子、射频电子和电力电子领域的广泛应用而具有重要的战略意义。中国在这一领域的技术和...
盘点碳化硅领域的复旦大佬，撑起行业半壁江山？
自1955年LELY提出生长高品质碳化硅的方法以来，碳化硅逐渐成为重要的电子材料。复旦大学和北京大学共同主持的中国第一个半导体专门化培训班，为我国半导体人...
