标签:碳化硅
SiC继任者,横空出世!
近年来,半导体行业经历了一场材料革命,砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带材料逐渐取代了传统硅材料。这些新材料在LED、射频组件和功率...
纳微8.5kw服务器电源的信赖之选——高能量密度电容器
纳微半导体推出了全球首款8.5kW服务器电源,专为AI数据中心设计,采用氮化镓和碳化硅技术,能效超过97.5%,满足AI运算和超大规模数据中心的高功率、小体积需...
IGBT发明者,新的目标
本文介绍了一种新型的功率转换器件——碳化硅(SiC)双向场效应晶体管(BiDFET),该器件由IGBT的发明者B. Jayant Baliga及其团队开发。BiDFET旨在为矩阵式转换...
SiC,需求如何?
碳化硅(SiC)作为一种性能优异的半导体材料,在高功率应用领域,尤其是电动汽车(EV)动力系统中的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)应用中,展现出巨...
第三代半导体发展现状及未来展望
第三代半导体材料,主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),因其在光电子、射频电子和电力电子领域的广泛应用而具有重要的战略意义。中国在这一领域的技术和...
盘点碳化硅领域的复旦大佬,撑起行业半壁江山?
自1955年LELY提出生长高品质碳化硅的方法以来,碳化硅逐渐成为重要的电子材料。复旦大学和北京大学共同主持的中国第一个半导体专门化培训班,为我国半导体人...