第三代半导体发展现状及未来展望

818 0 0

文章摘要

第三代半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），因其在光电子、射频电子和电力电子领域的广泛应用而具有重要的战略意义。中国在这一领域的技术和产业化能力正在快速发展，但与国际先进水平相比仍有差距。当前，第三代半导体技术的发展重点是实现大尺寸衬底的生产和降低成本。

自20世纪80年代初以来，第三代半导体在化合物照明领域取得了重大突破，并在全球形成了万亿级的市场规模。尽管新冠疫情对行业造成了一定影响，但市场规模仍在以每年约10%的速度增长。随着深紫外LED、Mini-LED、Micro-LED等新技术的出现，第三代半导体在光电子领域的应用场景不断拓展，市场规模有望进一步扩大。

在射频电子领域，GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）器件以其高功率、高效率、高线性等特性，在军事装备、航空航天、5G通信等领域发挥了重要作用。5G技术的快速发展对射频器件提出了更高的要求，GaN射频器件凭借其在高频、高效率、小尺寸等方面的优势，已成为5G基站的理想选择。随着5G网络的普及，GaN射频器件的市场需求将持续增长。

在电力电子领域，SiC器件因其高耐压、高频率特性，在新能源汽车、高铁、智能电网等领域具有广泛的应用前景。随着中国“双碳”战略的实施，SiC电力电子器件作为绿色半导体的代表，其市场需求将得到进一步推动。此外，SiC器件在提高新能源汽车的能效、降低能耗方面具有显著优势，预计将在新能源汽车领域得到广泛应用。

军事需求也是推动第三代半导体技术发展的重要因素。第三代半导体器件在雷达、通信装备、导引头等方面的应用，可以显著提升军事装备的性能。美国等国家已经在多个军事项目中广泛应用了第三代半导体技术。

中国在第三代半导体领域的技术成果不断涌现，产业化水平持续提高。在国家政策的支持下，中国已经形成了从装备、材料、器件到应用的完整产业链。在GaN领域，中国企业已经实现了4英寸GaN衬底产品的批量生产，并在GaN射频器件和电力电子器件方面取得了一系列技术突破。在SiC领域，中国企业已经具备了从4英寸向6英寸SiC衬底转变的能力，并正在研发8英寸SiC衬底。随着衬底尺寸的增大，单位芯片成本将显著降低，提高中国产品的国际竞争力。

目前，国内外第三代半导体企业主要采用垂直整合制造（IDM）模式，通过整合衬底、外延、器件制造等环节，实现产业链的自主可控。部分企业通过并购等方式不断完善IDM模式。未来，随着市场需求的增长和技术创新的推进，预计将有更多的Fabless+Foundry模式并存，推动第三代半导体产业的高质量发展。