标签：DRAM
存储路线图，三星最新分享
三星电子在“IMW 2025”会议上详细介绍了下一代DRAM和NAND闪存的技术演变。在DRAM部分，三星回顾了DRAM单元从1990年代至今的发展历程。早期的平面n沟道MOS FET...
DRAM，颠覆性方案
NEO 半导体公司近期宣布了两项全新的 3D X-DRAM 单元设计——1T1C 和 3T0C，这些设计有望彻底改变 DRAM 内存的现状。预计这两项技术将在 2026 年进行概念验证测...
DRAM“危机”
在AI技术迅猛发展的背景下，大模型规模的指数级增长对计算资源提出了前所未有的挑战，尤其是存储带宽的限制，成为了制约高性能计算的关键瓶颈。过去几十年中...
下一代DRAM，关注什么？
高带宽存储器（HBM）市场正经历前所未有的增长，主要驱动因素包括人工智能工作负载和高性能计算（HPC）应用的迅速扩展。2022年底ChatGPT的推出引发了生成式人...
DRAM，史上首次！
SK海力士在2024年第一季度首次超越三星电子，成为全球DRAM市场的领导者，占据了36%的市场份额，而三星电子和美光科技分别占据34%和25%。这一历史性突破主要归...
