标签：氮化镓
SiC继任者，横空出世！
近年来，半导体行业经历了一场材料革命，砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带材料逐渐取代了传统硅材料。这些新材料在LED、射频组件和功率...
纳微8.5kw服务器电源的信赖之选——高能量密度电容器
纳微半导体推出了全球首款8.5kW服务器电源，专为AI数据中心设计，采用氮化镓和碳化硅技术，能效超过97.5%，满足AI运算和超大规模数据中心的高功率、小体积需...
GaN，新拐点?
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，近期在技术发展和市场应用方面取得了显著进展。英飞凌公司宣布成功开发全球首款12英寸GaN晶圆，这一技术突破预示...
第三代半导体发展现状及未来展望
第三代半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），因其在光电子、射频电子和电力电子领域的广泛应用而具有重要的战略意义。中国在这一领域的技术和...
