文章摘要
【关 键 词】 半导体竞争、NAND技术、市场份额、技术创新、AI应用
在全球半导体行业的竞争格局中，SK海力士在NAND技术及市场份额方面逐渐缩小与三星的差距。SK海力士的全球NAND市场份额从2020年的11.7%增长至2024年第二季度的22.5%，预计2024年市场份额将首次超过20%。SK海力士最近发布了321层TLC NAND闪存，成为业内首家量产此技术的公司，这一进步将提高存储密度并降低成本，特别适用于人工智能数据中心。
SK海力士通过“Three Plugs”技术优化电气连接，同时连接三个存储层垂直通道，提高制造效率。新工艺使生产效率比上一代提高59%，数据传输速度提高12%，读取速度提高13%，能效提高10%以上。SK海力士计划扩大321层产品的使用范围，瞄准AI应用。
三星作为NAND市场的领导者，正在开发400层以上的3D NAND技术，预计将采用三层堆栈架构，利用其在层数方面的领先优势。三星的“WF-Bonding”技术是实现高层层数的关键，通过晶圆到晶圆键合技术优化制造工艺。三星计划于2027年推出V11 NAND，进一步开发技术，提高数据输入和输出。
除了三星和SK海力士，其他厂商也在积极发展NAND技术。美光计划在2025年推出400层NAND产品，使用双堆叠技术。西部数据则通过横向缩小单元尺寸和增加层数提高芯片密度。铠侠计划到2027年实现1000层3D NAND闪存。三星也计划在2030年前开发出超过1000层的NAND。
然而，扩展到四位数层数并非易事。随着层数增加，阶梯结构占用的面积增加，抵消部分密度增益。内存制造商需要在向QLC NAND过渡时纵向和横向缩小NAND单元，以提高密度。随着层的增加，通道电阻和信号噪声也成为挑战。NAND Flash的竞争仍在继续。
原文和模型
【原文链接】 阅读原文 [ 2819字 | 12分钟 ]
【原文作者】 半导体行业观察
【摘要模型】 moonshot-v1-32k
【摘要评分】 ★★★★☆
