文章摘要
【关 键 词】 半导体、NVM IP、新思科技、芯片设计、非易失性存储器
当前半导体行业正经历着摩尔定律逐渐逼近极限的挑战，芯片制造业已跨足3纳米节点，正向2纳米迈进。随之而来的是集成度、功耗和性能的极致追求，在此背景下，芯片设计者面临巨大压力与机遇。
内存技术，特别是NVM IP技术，因其在提高集成度和降低功耗方面的显著优势，成为先进节点设计中不可或缺的一部分。然而，将NVM IP技术有效融入芯片设计并非易事，需克服多项技术挑战。
NVM（非易失性存储器）是一种可以长期保存数据且无需持续供电的存储技术。与易失性存储器（如RAM）不同，NVM能在断电情况下保持数据。
新思科技提供的NVM IP解决方案涵盖OTP、MTP和FTP几种类型，这些方案在诸如面板驱动IC、电源管理IC、图像显示芯片等领域得到广泛应用。具体来说，OTP主要用于一次性编程场景，如校正数据记录和安全密钥存储；MTP适用于需要多次数据更新的应用，如蓝牙芯片和DDR5 SPD；而FTP则用于需要频繁校准参数的模拟电路等应用。
新思科技的NVM IP具有不增加光罩、基于标准工艺的优势，实现了成本和性能的平衡。
然而，面临的挑战包括高性能计算、物联网和人工智能芯片对安全存储敏感数据的需求日益增长，导致嵌入式非易失性存储器（eNVM）在这些高端节点芯片中变得重要。但先进工艺带来的挑战，如掩膜组成本上升和晶圆平均售价的增加，使得嵌入式NVM IP的可靠性和高产率更为关键。
新思科技的OTP方案通过采用两倍实体cell、错误修补和ECC等措施确保了高可靠性和良率。
新思科技的OTP解决方案已在台积电N5工艺上完成验证，并获得TSMC IP9000认证。该解决方案提供稳定且高效的存储选项，满足不同应用需求，并通过了硅片特性测试，展现出卓越的可靠性和良率。
此外，其OTP IP拥有多项安全功能，能防止数据误操作，并具备电压检测功能以阻止黑客攻击。
在6月21日，新思科技将举办一场关于如何在SoC设计中使用NVM的分享会，为有意向的参与者提供了学习和探讨的机会。
总而言之，NVM IP技术的进步为芯片设计带来了新机遇，尤其在提高集成度、降低功耗方面展现出巨大潜力。新思科技作为行业内知名的NVM IP提供商，其解决方案的可靠性、安全性及高效性已经得到了市场的验证，预示着未来NVM IP技术将持续助力半导体产业的发展。
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【原文作者】 半导体行业观察
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