IGBT发明者，新的目标

89 0 0

文章摘要

本文介绍了一种新型的功率转换器件——碳化硅（SiC）双向场效应晶体管（BiDFET），该器件由IGBT的发明者B. Jayant Baliga及其团队开发。BiDFET旨在为矩阵式转换器提供一种低导通压降和低开关损耗的解决方案，适用于光伏发电、电机驱动和储能系统等多种应用。

BiDFET器件的发展分为两代。第一代BiDFET器件通过集成两个1.2kV SiC JBSFET于单个芯片中，实现了高电压阻断能力和低导通电阻。这种设计减少了器件数量，提高了效率，并且具有快速开关性能。第二代BiDFET器件则通过创新的芯片设计和工艺技术，进一步降低了MOSFET单元的特定导通电阻，提高了沟道密度，从而实现了更低的导通电阻和更高的性能。

BiDFET器件的封装采用了先进的替代方法，如使用超薄环氧树脂复合电介质（ERCD）替代传统的DBC，以降低成本并提高可靠性。研究人员还设计了双面模块结构，通过模拟和实验验证了BiDFET器件在恶劣环境下的运行性能。

BiDFET器件的应用潜力巨大，特别是在需要四象限开关的电路拓扑结构中，如电流源转换器、T型电压源转换器等。BiDFET的单片特性使得转换器设计更为紧凑、高效，且可靠性更高。例如，在太阳能光伏应用中，BiDFET器件被用于开发了一种单相、单级、隔离式交流-直流转换器，该转换器与传统的交流-直流隔离转换器相比，具有更小的体积和更高的可靠性。

实验结果表明，使用BiDFET的转换器在2.3kW、400VDC输入和277VRMS输出条件下，能够实现高效率和低总谐波失真。此外，第二代BiDFET器件的导通电阻更低，有望进一步提高转换器的效率。

总之，BiDFET器件的开发为功率转换系统带来了革命性的改进，其在多个领域的应用前景广阔，包括电动汽车传动系统、双向电动汽车充电器、工业电机驱动器等。BiDFET的成功应用将推动电力电子技术的发展，为实现更高效、更可靠的能源转换提供了新的可能性。