文章摘要
【关 键 词】 芯片制造、HBM4技术、AI硬件、工艺升级、市场竞争
韩国芯片制造商SK海力士计划采用3纳米工艺技术，预计在2025年为Nvidia等客户定制生产HBM4芯片。这一决策是响应主要客户需求，转向更先进的工艺生产。SK海力士与台积电合作开发HBM4，预计3纳米工艺将比5纳米工艺提升20-30%的性能。SK海力士正减少对中国市场的依赖，转向美国大型科技公司，如Nvidia、Google和Microsoft。
HBM（高带宽内存）因其3D堆叠架构、高带宽、小尺寸、低功耗和低延迟等优势，成为AI和高性能计算领域的关键技术。随着AI模型的规模和复杂性增长，HBM技术对于解决内存性能瓶颈至关重要。HBM4和HBM4E技术将进一步满足AI工作负载的需求，通过将接口宽度加倍至2048位。
然而，HBM的实施面临挑战，包括制造复杂性、热管理问题和高总拥有成本。为了实现高性能的HBM系统，需要精确的架构规划、中介层设计、信号和电源完整性分析，以及系统级测试。
定制HBM4设计允许更好地协调内存与需求，提高2.5D集成性能，增加带宽，改善延迟，并提高电源效率。尽管存在成本和热管理挑战，定制HBM对于下一代AI硬件系统非常有价值。UCIe标准等芯片到芯片接口是创建自定义HBM的尖端方法，需要产业链的紧密合作。
SK海力士与台积电合作采用12纳米工艺技术生产通用HBM4和HBM4E，而三星电子也在开发HBM4以提供给微软和Meta，预计以4纳米工艺量产HBM4，与SK海力士/台积电联盟竞争。Nvidia已要求SK海力士提前供应HBM4芯片，而特斯拉也已要求三星和SK海力士提供HBM4原型样品。
原文和模型
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【原文作者】 半导体行业观察
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