文章摘要
【关 键 词】 HBM4技术、内存升级、AI应用、芯片封装、行业竞争
JEDEC固态技术协会近日宣布，备受期待的高带宽存储器（HBM）DRAM标准的下一个版本——HBM4即将完成。
HBM4是HBM3标准的进化版，旨在进一步提高数据处理速率，同时保持更高的带宽、更低功耗和更大的每个芯片和/或堆栈容量等基本特性。
与HBM3相比，HBM4计划将每个堆栈的通道数增加一倍，物理占用空间也更大。
HBM4将指定24Gb和32Gb层，并可选择支持4高、8高、12高和16高TSV堆栈。
HBM4将把内存堆栈接口从1024位扩展至2048位，这将是自八年前推出这种内存类型以来HBM规范最重要的变化之一。
内存制造商表示，他们还将在一个模块中堆叠多达16个内存芯片，即所谓的16-Hi堆叠，这为该技术增加了一些复杂性。
然而，随着DRAM堆栈数量的增加，有人指出封装技术面临着局限性。
混合键合是一种在芯片和晶圆之间直接键合铜布线的技术。
根据Trendforce去年年底分享的路线图预计，首批HBM4样品预计每堆栈容量高达36GB，完整规格预计将由JEDEC在2024-2025年下半年左右发布。
目前，市场上有SK Hynix、三星和美光这三大玩家，他们在HBM4上也明争暗斗。
SK Hynix表示，可能在2025年率先推出下一代HBM4。
三星电子在其设备解决方案（DS）部门内成立了新的“HBM开发团队”，以增强其在高带宽内存（HBM）技术方面的竞争力。
另一家HBM参与者美光则预计在2025到2026年推出12H和16H的HBM4,其容量为36GB到48GB，速度为1.5TB/S以上。
HBM的出现是为了向GPU和其他处理器提供比标准x86插槽接口所能支持的更多的内存。
三星正在研究在中介层中使用光子技术，光子在链路上的流动速度比编码为电子的比特速度更快，而且功耗更低。
SK海力士还在研究直接HBM-逻辑连接概念。
与三星和SK海力士不同，美光并未谈论将HBM和逻辑集成到单个芯片中。
原文和模型
【原文链接】 阅读原文 [ 3168字 | 13分钟 ]
【原文作者】 半导体行业观察
【摘要模型】 moonshot-v1-32k
【摘要评分】 ★★★★☆
