EUV光刻，有变！

28 0 0

文章摘要

EUV（极紫外）光刻技术自提出以来，面临高成本、复杂光学系统和高精度光罩制造等多重挑战，但随着技术的成熟，EUV逐渐突破了制程限制，尤其在10nm及以下的制程中展现出不可替代的优势。近期，英特尔、imec、美光、三星等公司纷纷宣布与EUV相关的重要进展，加速了EUV技术的商用应用，标志着EUV技术进入了新的发展阶段。

英特尔成为首家购买High NA EUV光刻机的芯片厂商，每台机器价值高达3.5亿欧元，主要用于研发。英特尔在其俄勒冈州的D1开发工厂安装了两台ASML High-NA Twinscan EXE:5000 EUV光刻工具，已在一个季度内处理了多达30,000片晶圆。高数值孔径机器仅需一次曝光和“个位数”处理步骤，完成早期机器需要三次曝光和约40个步骤的工作。英特尔计划使用这些机器生产14A（1.4nm级）芯片，展示了其对高NA EUV技术的重视。

imec展示了在单次曝光High NA EUV光刻后图案化的20nm间距金属线结构上获得的首个电气测试结果，良率高达90%以上。这些结果验证了High NA EUV光刻扫描仪及其生态系统在如此小尺寸下的图案化能力。imec与ASML合作开设的High NA EUV光刻实验室预计将在2025-2026年实现大批量生产，进一步推动摩尔定律进入埃时代。

美光首次采用EUV技术生产1γ（1-gamma）DRAM节点，功耗降低了20%，位密度提高了30%。美光在日本的晶圆厂生产1γ DRAM，计划在未来几年内投资5000亿日元（36.18亿美元）用于EUV技术。随着美光加入EUV阵营，存储厂商之间的竞争愈发激烈，三星和SK海力士也在积极引进High NA EUV机器，以保持竞争优势。

三星决定采购日本三井化学的EUV光罩薄膜，以提高3纳米制程的良率。三星的3纳米制程良率一直难以提升，代工部门在去年第四季度亏损约2万亿韩元。通过引入EUV薄膜技术，三星希望提高生产效率，减少缺陷率。三星也在自主研发EUV薄膜，推动国产化进程。

瑞典公司AlixLabs AB通过原子层蚀刻（ALE）间距分割技术（APS），成功在英特尔测试硅片上蚀刻出5nm以下级别的特征。APS技术减少了对多重图案化的依赖，降低了成本和环境影响，为半导体制造提供了更高效、更经济的解决方案。

EUV光刻技术的不断创新和产业需求的提升，正逐步克服其成本高昂、设备复杂等挑战，向着更高效、更精准、更低成本的方向发展。未来，EUV将继续引领芯片制造向更小、更精密的尺寸迈进，为全球半导体产业的创新与竞争提供强大的技术支撑。