文章摘要
【关 键 词】 光刻技术、芯片制造、半导体竞争、先进制程、技术革新
光刻机技术是半导体领域的核心，从DUV到EUV再到High-NA EUV光刻机的发展，不断推动着芯片制造的精度和效率。ASML的High-NA EUV光刻机作为目前最先进的芯片制造设备，对2nm以下先进制程的大规模量产至关重要。全球半导体巨头如英特尔、台积电、三星和SK海力士都在积极布局High-NA EUV光刻机，以期在技术革新和市场竞争中占据优势。
英特尔在High-NA EUV光刻机的引进上取得领先，已接收两台设备，并计划在其18A和14A节点上使用。这一行动部分源于其在EUV技术上的失误，导致其在14nm节点开始落后于竞争对手。英特尔希望通过High-NA EUV光刻机追回差距，并提出了四年五个工艺节点的计划，目标是到2030年前成为全球第二大晶圆代工厂。然而，英特尔代工业务面临巨大挑战，去年营收下降，经营亏损扩大。
三星电子计划在2024年底到2025年第一季度之间引进首台High-NA EUV设备，以保持竞争力。三星在3nm工艺上采用GAA技术，但面临良率挑战，导致成本较高，性能存在差距。三星的市场份额下降，晶圆代工业务亏损严重，但引进High-NA EUV光刻机可能为其带来转机。
台积电则显得更为稳健，不急于加入High-NA EUV设备的竞争，而是采取稳扎稳打的方式布局先进制程。台积电预计将于年底接收首批High-NA EUV光刻机，主要用于研发。台积电的N2和A16工艺技术将依赖传统EUV设备，而未来的A14工艺可能采用0.55 NA EUV工具。台积电的策略是在确保新技术成熟和可靠性后再进行部署，这有助于降低技术失败风险，提高产量和质量。
SK海力士则将High-NA EUV光刻机技术应用于先进DRAM产品的量产，预计2026年引入EXE:5200设备。SK海力士在HBM领域具有优势，正加大对High-NA EUV技术的投入，以提升产品竞争力。
随着摩尔定律接近极限，2nm及以下工艺节点成为芯片巨头竞争的关键。英特尔、三星和台积电的竞争不仅是技术的竞争，还涉及客户、品牌、良率、产能等多方面。这些公司能否抓住新市场的机遇，将决定它们在未来半导体行业中的地位。
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【原文作者】 半导体行业观察
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