文章摘要
【关 键 词】 IBM发明、DRAM技术、3D DRAM、技术挑战、市场竞争
1966年，IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），该技术为半导体行业带来了市场规模超千亿美元的产业帝国。然而，随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺也步入了瓶颈期。尽管10nm级别已达到，但技术挑战如工艺完整性、成本、电容器漏电和干扰等问题愈发明显，推动了对3D DRAM的需求。
3D DRAM通过堆叠存储单元至逻辑单元上方，提高了单位晶圆面积上的容量，并具有数据访问速度快、低功耗和高可靠性等优势。受到3D NAND成功的推动，业界持续致力于3D DRAM的研发，多个主要DRAM厂商正在进行晶圆级测试。
在美国，3D DRAM专利数量的急剧增加反映了该技术可能迎来新进展。各大厂商如三星电子、SK海力士、美光等，均在加大对3D DRAM技术的开发投入，并通过专利保护为未来的市场竞争和技术主导权做准备。
三星电子尤其雄心勃勃，计划在2030年前实现3D DRAM的商业化。他们开发了如4F2 Square VCT DRAM和VS-CAT DRAM等先进技术，通过垂直堆叠和新型材料的应用，实现更高的存储容量和能效。
SK海力士聚焦于3D DRAM的新一代沟道材料，其中晶化IGZO作为低待机功耗的材料，有助于改善DRAM的刷新特性。
美光则在3D DRAM专利数量上遥遥领先，其方案包括改变晶体管和电容器的形状，以实现更高的存储密度。
此外，NEO Semiconductor推出的3D X-DRAM技术，也意在克服DRAM容量限制。
整体来看，3D DRAM技术的发展成为了业界迫切想突破DRAM工艺更高极限的新路径，各大厂商正竞相开发和探索，以满足市场对更高密度、更低功耗、更大带宽的DRAM产品的需求。
原文和模型
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【原文作者】 半导体行业观察
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