文章摘要
【关 键 词】 DRAM市场、美光科技、三星电子、SK海力士、HBM技术
DRAM市场近期因美光宣布停产DDR4而出现显著波动，DDR4现货价格单日涨幅高达8%，本季度累计涨幅已超一倍。台媒报道显示，8Gb、16Gb等规格的DDR4芯片均价分别达到3.775美元和8.2美元，业者称此为十年来罕见涨幅。这一现象与全球DRAM技术迭代及产能调整密切相关。
美光科技正加速向DDR5和HBM领域转型。其最新1γ工艺DDR5原型可实现9200 MT/s传输速率，功耗降低20%，计划2026年用于旗舰智能手机。美光已向客户交付12层堆叠36GB HBM4样品，并成为英伟达下一代SOCAMM内存模块的首家供应商，该技术采用铜线键合提升散热性能。公司还宣布2000亿美元美国投资计划，将在台湾、日本和爱达荷州扩建产能。
三星电子在HBM3E认证过程中遭遇挑战，但近期首次确认向AMD供应288GB HBM3E芯片。该公司正推进1c DRAM量产线建设，计划应用于下一代HBM4，平泽和华城工厂的月产能预计达7万片。尽管HBM3E认证进度落后于预期，三星仍通过提前备货展现技术储备。
SK海力士凭借HBM技术优势首次登顶DRAM市场份额榜首（36%），但采取谨慎扩产策略。其清州M15X工厂设备导入时间推迟至年底，月产能调降至不足1万片。公司披露4F²垂直栅极和3D DRAM技术路线图，计划通过材料创新突破制程限制。
技术演进方面，三大厂商正推进10nm以下工艺：美光将在1γ节点引入EUV，三星和SK海力士已实现12nm级D1a/b工艺量产。行业预计2030年进入个位数纳米节点，HBM4单栈容量将达288GB，2038年HBM8带宽或提升至64TB/s。混合键合技术预计2029年应用于HBM5，中国厂商的入局也将重塑竞争格局。
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【原文作者】 半导体行业观察
【摘要模型】 deepseek/deepseek-v3-0324
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