文章摘要
【关 键 词】 DRAM市场、人工智能、技术趋势、半导体行业、创新技术
全球动态随机存取存储器(DRAM)市场正迎来快速发展期。据Straits Research预测，2022年市场规模为969.9亿美元，预计到2031年将增至1263.2亿美元，年均复合增长率为2.98%。这一增长主要得益于消费电子产品销量的稳步增长以及云计算、人工智能、物联网等技术趋势的推动。
特别值得注意的是，人工智能的发展正推动高带宽存储器(HBM)成为DRAM市场的重要增长动力。市场分析机构TrendForce预测，HBM在DRAM总位容量中的份额将从2023年的2%上升至2025年的10%以上，而按价值计算，HBM可能在2025年占DRAM总市场价值的30%以上。
在这一背景下，DRAM行业的领军企业如三星、SK海力士和美光正在积极布局。三星电子在2月首次实现了36GB HBM3E 12层高带宽存储器的量产，并已开始向特定客户供货。SK海力士和美光也在紧随其后，分别计划在第三季度和下半年完成HBM3E 12层的量产准备。
除了HBM，低功耗双倍数据速率内存(LPDDR)也成为半导体行业的焦点。随着人工智能学习和训练的不断进步，对低功耗芯片的需求日益增加。三星电子和SK海力士正在推出新的低功耗半导体解决方案，如三星的LPDDR5X和SK海力士的LPDDR5T DRAM，这些产品在提高数据处理速度的同时，显著降低了功耗。
此外，DRAM厂商也在关注细分市场，如为苹果下一代XR设备供应的LLW DRAM技术，以及针对数据中心市场的高速DRAM解决方案。SK海力士推出的MCR-DIMM和JEDEC的MR-DIMM标准都是通过结合多个内存模块来提高带宽和性能的创新尝试。
展望未来，DRAM技术将继续在DDR5、LPDDR5/5X、GDDR6/6X、HBM2E/HBM3/HBM3E以及低延迟DRAM (LLDRAM)等领域发挥关键作用。内存处理(PIM)和Compute Express链路近内存处理(CXL-PNM)等创新技术将进一步推动DRAM的性能和效率提升。随着技术的不断进步，预计到2030年，DRAM技术将缩小到个位数纳米节点，为高性能应用和新兴技术提供更强大的支持。
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【原文作者】 半导体行业观察
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