DRAM，怎么玩？

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文章摘要

DRAM市场在过去一年多经历了剧烈波动，从供过于求到供不应求，最终达到供求平衡，导致厂商财报也出现相应波动。Yole研报预测，存储行业复苏速度加快，2024年和2025年收入将大幅增长，2024年DRAM收入预计达到980亿美元，同比增长88%，2025年预计达到1370亿美元，2029年市场规模预计进一步增长至1300亿美元，2023-2029年复合年增长率约17%。

市场复苏过程中，厂商为争夺市场份额展开激烈竞争。在技术为先的半导体行业，技术领先可转化为市场优势。三星和SK海力士已商业化基于1a和1b芯片设计的产品，包括DDR5、LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X，采用12nm级别设计，并在EUV光刻方面领先。美光则继续使用ArF和ArFi光刻技术，并计划在1γ代引入EUV。

HBM技术成为焦点，三家厂商均宣布HBM3E，三星率先量产12层HBM3E，SK海力士计划今年第三季度量产，美光则在下半年完成量产。EUV技术在10纳米级第四代DRAM中的关键作用日益凸显，三星和SK海力士引入EUV，美光则采用多重图案化技术。

三星电子在DRAM领域的领先地位得益于其在微缩工艺技术上的领先。然而，随着美光在10纳米级第四代DRAM中率先量产，竞争格局发生变化。EUV光刻设备的应用成为提升性能和生产效率的关键。

2024年，10纳米级第五代（1b）工艺成为技术竞争焦点，三星、SK海力士和美光几乎同时开始量产。1b工艺电路线宽12纳米，用于最新HBM3E。三家公司计划增加10纳米级第五代DRAM生产量。

EUV技术的稳定应用和高K金属栅极（HKMG）技术的普及对DRAM技术发展至关重要。预计明年年初，三大厂商将大规模量产1c DRAM，2026年或2027年推出最终的10纳米DRAM产品，2030年技术预计将缩小至个位数纳米节点。

HBM技术方面，SK海力士通过MR-MUF封装技术占据市场主导地位，三星采用TC NCF技术，美光则实现弯道超车，加入竞争。混合键合技术成为HBM战场新焦点，SK海力士和三星都在积极开发。

除三大厂商外，其他中小企业也在DRAM新技术上取得进展。PieceMakers推出HBLL RAM，填补高带宽低密度市场空白；NEO Semiconductor开发3D X-AI芯片技术，解决数据总线瓶颈问题。

在这场DRAM技术竞争中，谁能最终胜出尚未可知。三星、SK海力士和美光都在积极布局，争夺市场主导地位。随着AI应用的持续火热，未来将有更多公司提出创新解决方案，推动DRAM技术发展。