DRAM，史上首次！

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文章摘要

SK海力士在2024年第一季度首次超越三星电子，成为全球DRAM 市场的领导者，占据了36%的市场份额，而三星电子和美光科技分别占据34%和25%。这一历史性突破主要归功于SK海力士在高带宽内存（HBM）领域的强势表现，其在该领域的市场份额高达70%。HBM是一种高性能内存芯片，随着人工智能技术的快速发展，其需求急剧增长，成为SK海力士成功的关键驱动力。

SK海力士的成功并非偶然，而是源于其对HBM技术的长期投入。早在2013年，该公司就率先研发出HBM芯片，尽管当时市场需求有限，但其持续的技术创新为后来的AI热潮奠定了坚实基础。2024年第一季度，SK海力士凭借其最新推出的12层HBM3E芯片，成为英伟达AI加速器的独家供应商，进一步巩固了其在HBM市场的领导地位。HBM产品在SK海力士的DRAM销售额中占比超过40%，成为其业绩增长的核心动力。

相比之下，三星电子在传统DRAM市场的主导地位正逐渐被削弱。由于中国厂商凭借更具成本优势的产品迅速崛起，传统内存芯片的需求和价格均出现下滑。三星约80%至90%的芯片销售额依赖于传统DRAM，这使得其在面对SK海力士的HBM优势时显得力不从心。此外，SK海力士在DRAM制程技术上的突破也为其领先地位提供了支持。该公司成功开发出基于1c工艺的16GB DDR5 DRAM，良率达到80%，在技术上暂时超越了三星。

SK海力士对未来的发展充满信心，预计到2027年，HBM内存芯片的需求将以每年82%的速度增长。该公司计划在2026年推出12层HBM4芯片，并进一步开发16层HBM4E，以满足市场对高性能内存的持续需求。与此同时，三星电子也在努力提升其1c DRAM的良率，并计划将其应用于下一代HBM4，但短期内仍难以缩小与SK海力士的差距。

全球DRAM市场的竞争不仅限于技术层面，地缘政治和贸易政策也对其产生了重要影响。尽管美国加征关税的担忧日益加剧，但分析师认为，短期内人工智能需求的强劲增长将使HBM市场免受贸易相关冲击的影响。然而，长期来看，全球经济放缓可能会对HBM市场的扩张造成压力。

此外，中国DRAM厂商的崛起也为全球市场增添了新的变数。长鑫存储、长江存储等企业正在加速技术研发，试图在DRAM领域占据一席之地。随着人工智能和地缘政治的双重推动，DRAM市场的竞争将更加激烈，未来是否会出现新的行业巨头，仍有待观察。总体而言，DRAM技术的前景光明，有望满足高性能应用和新兴技术的需求，但中国DRAM产业的发展仍面临巨大挑战。