文章摘要
台积电在2纳米制程技术上取得了重大突破，计划于2025年下半年量产。台积电的2纳米技术将首次采用纳米片晶体管结构，预计在相同功耗下速度提升10~15%，相同速度下功耗降低25~30%。台积电的2纳米生产基地已规划在竹科宝山与高雄厂区，宝山厂首批产能已被苹果全数包下，高雄厂则用于支援非苹客户群。此外，英特尔也计划在2025年上半年量产其1.8纳米工艺，该工艺将采用RibbonFET环栅晶体管技术，预计每瓦性能提高15%，芯片密度提高30%。英特尔的首批量产产品包括面向消费端的Panther Lake处理器及2026年发布的服务器芯片Clearwater Forest。
三星在2纳米工艺上也取得了一定进展，但其良率问题仍然存在。三星的2纳米工艺采用了全栅（GAA）晶体管架构，性能和能效得到了进一步提升。三星计划通过与日本人工智能公司Preferred Networks的合作，加速其在全球领先先进封装市场的攻势。三星的2纳米GAA节点至少需要达到70%的良率才能开始接受其他客户的订单。
日本的Rapidus也在推进2纳米工艺，计划在2025年4月启用试产产线，目标是2027年开始量产2纳米。Rapidus将与Quest Global Services PTE合作，为客户提供广泛的解决方案，支持行业对低功耗人工智能半导体日益增长的需求。
在2纳米工艺竞争激烈的同时，台积电、三星和英特尔也在推进更先进的1.4纳米工艺。台积电计划在2027年推出1.4纳米工艺，三星的1.4纳米级节点SF1.4也有望在2027年问世，而英特尔的14A工艺则预计在2027年或之前推出。这些更先进的工艺将进一步推动半导体行业的技术进步，满足日益增长的计算需求。
原文和模型
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【原文作者】 半导体行业观察
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