2nm以下的芯片技术，巨头秀肌肉

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文章摘要

半导体行业的进步在国际电子设备制造会议（IEDM）上得到了充分展示，其中台积电的N2工艺技术尤为引人注目，其性能提升和密度缩放的优势使其在先进逻辑领域保持领先地位。N2工艺的六个阈值电压级别为芯片设计提供了优化性能和功率的可能，而介电材料的精细控制和原子层沉积技术的使用则推动了这一进展。台积电在互连技术方面也展现了显著进步，特别是在栅极触点和金属层电阻及电容的降低上。

在内存领域，内存计算成为了解决人工智能内存墙的潜在方案，Meta展示了其3D堆叠内存实现，而先进封装技术如英特尔的EMIB-T和台积电的SoIC 3D混合键合产品则引起了广泛关注，这些技术是推动计算扩展的关键途径。尽管台积电在2D材料的研究上取得了进展，但在材料生长方面仍面临挑战，这限制了2D材料在商业化水平上的应用。

在CFET技术方面，台积电展示了一个工作的CFET反相器，这是在工业化工艺集成路线图上领先的重要一步。而英特尔展示了6nm门长的单带GAA晶体管，这一成果挑战了硅的最小栅极长度为10nm的理论限制，表明量子隧穿效应是可以被控制的。

尽管半导体行业的进步令人瞩目，但专家小组指出，这些进步还不足以跟上人工智能的步伐。斯坦福大学的Tom Lee教授强调，按照目前的增长率，未来的人工智能计算能量需求将不可持续，因此需要在半导体器件方面取得突破。会议最后呼吁业界采取行动，因为仅凭常规进步已不足以应对指数级增长的计算需求和能源消耗。