韩国芯片，危险！

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文章摘要

美光科技率先向合作伙伴出货基于1γ制程的第六代DDR5内存，标志着10纳米级DRAM技术实现突破。该产品采用新一代高K金属栅极CMOS技术，使功耗降低超20%，速度提升至9200MT/s，比特密度增加30%。该技术将支持云端计算、端侧AI设备等新兴需求，目前已进入AMD和英特尔处理器的验证阶段。

在DRAM市场格局方面，三星与SK海力士面临竞争压力。美光凭借1γ节点的量产，其DRAM市场份额从19.6%跃升至22.2%，而三星因第六代1c DRAM良率问题延迟至2025年量产，SK海力士则已完成1c DDR5量产认证。值得关注的是，三星正重新设计1c DRAM芯片，此举可能进一步延缓其技术迭代速度。

HBM领域呈现三强角力态势：SK海力士凭借12层HBM3E占据主导地位，美光通过向英伟达供应8层HBM3E实现快速追赶，计划2025年将HBM产能提升三倍。三星因制程延迟导致HBM4量产计划受阻，目前仅进入8层HBM产品的小规模量产阶段。美光在HBM3E技术上取得突破，其12层堆栈产品功耗较竞品低20%，已计划用于AMD和英伟达的新一代AI加速器。

低功耗DRAM市场出现结构性变化，美光首次成为三星Galaxy S25主要内存供应商，其LPDDR5X芯片在能效和发热控制上超越三星自研产品。这打破了三星手机长期依赖内部供应的传统，反映出美光在移动端内存技术的竞争优势。此前美光已为iPhone 15提供1b工艺LPDDR5X，并与英伟达在AI加速器领域深化合作。

EUV光刻技术成为DRAM微缩的关键推手，美光通过在日本晶圆厂部署EUV设备，实现1γ节点30%的容量密度提升。随着1δ工艺和3D DRAM架构的推进，行业全面进入EUV时代。三星虽已启动第七代DRAM试验线建设，但当前技术滞后使其面临双重压力：既要追赶现有制程差距，又需应对美光在EUV量产规模上的先发优势。

政策支持强化了美光的战略地位，其获得美国61.65亿美元补贴用于新建晶圆厂，并在新加坡、日本布局HBM生产基地。预计美光2025年HBM市场份额将突破两位数，直接冲击SK海力士的龙头地位。存储行业的技术竞赛已从单一产品性能比拼，扩展至制程革新、产能布局和供应链韧性的多维对抗，这场角逐将深刻影响未来AI计算基础设施的演进路径。