起底国产SiC：内卷、降本、困局

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文章摘要

全球最大的8英寸碳化硅（SiC）晶圆厂近日启动，英飞凌宣布在马来西亚投资的新工厂一期项目正式开始运营，专注于生产碳化硅功率半导体和氮化镓外延。新工厂的二期项目预计投资额将高达50亿欧元，完成后将成为全球最大的200毫米（8英寸）碳化硅晶圆厂，加强英飞凌在全球功率半导体领域的领导地位。

第三代半导体，特别是SiC和GaN，正面临激烈的市场竞争。全球主要厂商，包括英飞凌、意法半导体、安森美和罗姆等，都在积极提升工艺、增加产能和生产率，并寻求长期合作伙伴以完善产业链。国内厂商也在努力追赶，抓住市场机遇，加快投资和扩大生产步伐。

Yole Group的数据显示，预计到2029年，SiC市场规模将达到100亿美元。除了汽车行业外，工业、能源和铁路应用也为市场增长提供了新的动力。在巨大市场增量的吸引下，第三代半导体产业蓬勃发展，各方都在争夺市场的重要位置。

英飞凌的马来西亚工厂正式投产后，有望帮助公司实现到2030年前拥有全球30%碳化硅市场份额的目标。英飞凌居林工厂的第三厂区已经获得了价值约50亿欧元的设计订单，并收到了约10亿欧元的客户预付款。英飞凌正在加强在碳化硅和氮化镓等领域的技术领先优势。

其他厂商也在以各种方式扩大产能和促进供应链合作。例如，Wolfspeed的Building 10 Materials工厂已实现8英寸晶圆的生产目标，预计到2024年底，其莫霍克谷SiC晶圆厂的晶圆开工利用率将提升至约25%。意法半导体在全球SiC MOSFET市场份额已超过50%，并计划在未来三年内升级生产线至8英寸晶圆，实现SiC供应链的垂直整合，并与Soitec合作采用SmartSiC技术。罗姆和安森美也在积极投资SiC领域，以实现其销售目标。

国内企业也在积极布局碳化硅市场，扩张产能并迈向8英寸生产，以国产替代争夺市场份额，并提升产品的价值量或出货量。然而，尽管国内SiC衬底和外延技术已相对较好，与全球大厂水平基本接近，但国内SiC MOSFET器件市场90%以上的份额仍被欧美大厂占据。

SiC产业的关键在于衬底和外延，它们占据了SiC产品整体成本的70%以上。目前国内SiC衬底厂商众多，天岳先进和天科合达的全球份额达到15%，预计2024年将进一步巩固全球龙头地位。然而，随着国内SiC产能的扩大，SiC衬底价格迅速下降，引发了价格战和内卷现象。

国产SiC功率器件在汽车领域的应用仍面临挑战，尽管SiC二极管产品已相对成熟，但SiC MOSFET单管在主逆变器领域的应用还略显乏力。国内厂商需要提升产品质量和可靠性，加强上车验证，拓展应用领域，加强国际合作，加快人才培养，并提高品牌影响力。

8英寸SiC晶圆是竞争的新焦点。随着6英寸产品逐渐被8英寸产品替代，衬底尺寸的增加将降低单位芯片成本，有利于SiC的大规模应用。目前，全球已有20家企业正在或计划推进8英寸SiC晶圆产线建设，其中8个项目落地中国。

总的来说，SiC市场异常火热，2024年是关键的一年。尽管市场产销两旺，但国产SiC产业仍面临技术差距、设备挑战等问题。降低成本、稳定质量、提升良率将成为应对行业竞争和大规模应用落地的关键。