薄膜电容器助力SiC和IGBT技术高速推进：永铭电容应用方案

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文章摘要

【关键词】 新能源产业、DC-Link电容、薄膜电容、电驱逆变器、永铭电子

随着新能源产业的快速发展，特别是光储充和电动汽车的普及，DC-Link电容的需求急剧增长。DC-Link电容在电路中起着吸收高脉冲电流和平滑母线电压的关键作用，保护IGBT和SiC MOSFET开关免受不利影响。随着新能源汽车母线电压的提升，薄膜电容的需求显著增加，2022年基于DC-Link薄膜电容的电驱逆变器装机量达到511.17万套，占电控装机量的88.7%，成为市场的主流选择。

在硅IGBT半桥逆变器中，传统电解电容因ESR较高易产生电压浪涌，而SiC MOSFET的高开关频率导致电压浪涌幅度更高，可能影响器件性能。因此，在对可靠性要求更高的场合，如电驱逆变器和光伏逆变器，薄膜电容因其耐压高、ESR低、无极性、性能稳定和寿命长等优势，成为首选。薄膜电容的使用能发挥SiC MOSFET的高频、低损耗优势，减小被动元件体积和重量。

永铭电子推出的MDP系列薄膜电容器，采用先进工艺和优质材料，适配SiC MOSFET和硅基IGBT。MDP系列电容具有低ESR、高耐压、低漏电流和高温度稳定性等特点。其设计降低开关过程中的电压应力和能量损耗，提高系统能效，适应高电压环境，确保系统稳定。容量范围1uF-500uF，电压范围500伏至1500伏，具有更低漏电流和更高温度稳定性。通过高品质材料和先进工艺，设计高效散热结构，确保高温下性能稳定，延长使用寿命，为电力电子系统提供可靠支撑。MDP系列电容器体积紧凑，功率密度高，采用创新薄膜制造工艺，提升系统集成度和效率，减小体积和重量，增加设备便携性和灵活性。永铭电子DC-Link薄膜电容器系列在dv/dt耐受能力上提升30%，使用寿命增长30%，提高SiC/IGBT电路可靠性，带来更好的成本效益，解决价格难题。