英特尔先进封装，新突破

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文章摘要

英特尔在电子元件技术大会上披露多项芯片封装技术突破，旨在利用尖端工艺节点技术为内外部公司生产芯片，以应对现代处理器复杂异构设计对先进封装技术的需求，保持与竞争对手同步。

EMIB – T技术优势显著：它将硅通孔融入广泛使用的EMIB技术，提升了封装供电效率，解决了标准EMIB连接的高电压降问题，实现直接、低电阻供电路径，对HBM4/4e集成至关重要。同时，提升了芯片间通信带宽，能集成高速HBM4/4e内存封装，使用UCIe – A互连技术使数据传输速率达32 Gb/s或更高。还能实现更大芯片封装尺寸，支持更多桥接器和裸片，缩小凸块间距，且兼容有机或玻璃基板，玻璃基板是未来关键战略方向。

全新分解式散热器技术：将散热器分解成平板和加强筋，改善了散热器与热界面材料的耦合，有助于减少TIM耦合焊料中的空隙。集成微通道的散热器可冷却TDP高达1000W的处理器封装，从多角度解决芯片冷却问题。

新型热压粘合工艺：针对大型封装基板开发，能最大限度减少键合过程中封装基板和芯片之间的热差，提高良率和可靠性，实现更大芯片封装和更精细的EMIB连接间距。

完善且有竞争力的封装技术对英特尔代工厂意义重大，可让客户将不同供应商的芯片集成到单个封装中，降低过渡到英特尔工艺节点的风险。英特尔还为不使用其制造组件的芯片提供封装服务，有助于拓展客户关系。目前已有AWS、思科等行业巨头及美国政府项目成为其封装服务客户，封装合同是英特尔代工厂创收的最快途径。