芯片巨头“瓜分”美国2800亿

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文章摘要

台积电在美国建厂计划获得美国《芯片法案》补贴，包括66亿美元直接赠款和50亿美元贷款及担保，共计116亿美元。台积电于2020年5月宣布在美国亚利桑那州建立首座晶圆代工厂，原计划2021年动工，2024年量产，采用5nm工艺，月产能20000片晶圆，总投资120亿美元。然而，受当地人才和配套资源等因素影响，量产计划推迟至2025年上半年。

尽管量产延期，台积电在美国的投资总额和建厂规模不断扩大，从最初的120亿美元增至650亿美元，工厂数量从1座增至3座，量产工艺从5nm扩展至3nm、2nm。台积电总裁魏哲家表示，到2030年，台积电将在台湾量产1nm、1.4nm工艺。与此同时，三星和英特尔也在加大投资力度。三星计划在德克萨斯州泰勒市建立10座半导体工厂，总投资超过2000亿美元；英特尔则宣布在亚利桑那州和俄亥俄州建立四座工厂，总投资400亿美元。

美国政府通过《芯片法案》推动先进制造回流，提供527亿美元补贴。然而，补贴下发进度缓慢，主要晶圆厂建厂计划也相应延迟。目前，台积电、英特尔等头部企业已获得相应补贴，三星也有望获得至少60亿美元赠款。这表明，390亿美元直接赠款中，已有220亿美元发放完毕，三家企业占据50%以上份额。

晶圆代工领域的竞争日益激烈，台积电稳坐世界第一多年，三星和英特尔则努力追赶。根据Counterpoint数据，台积电市场份额高达61%，三星以14%位居第二，英特尔则在其他类别中。三星和英特尔需要大幅提升市场份额，才能实现领先目标。然而，建晶圆厂需要3-4年时间，且需基于客户订单和市场回暖前提。目前，英特尔和三星的量产计划均推迟至少1年，实现目标的难度加大。

台积电的成功不仅体现在制程工艺上，还在于与客户的协同。例如，台积电为苹果A8芯片提供100人支持团队，帮助客户降低成本。良率是晶圆代工厂的生命线，台积电3nm良率已接近70%，而三星3nm良率仍在30%-60%之间。追赶者需要关注良率问题，以满足客户需求。

总之，台积电在美国建厂计划获得《芯片法案》补贴，同时加大投资力度。三星和英特尔也在加大投资，争夺晶圆代工市场份额。美国政府通过《芯片法案》推动先进制造回流，但补贴下发进度缓慢。晶圆代工领域的竞争日益激烈，台积电保持领先地位，而三星和英特尔努力追赶。良率问题是晶圆代工厂的关键，追赶者需要关注这一问题以满足客户需求。