突然走红的3.5D封装

842 0 0

文章摘要

在半导体封装领域，技术的快速进步正推动着微型芯片的集成密度和工作性能的提升。传统的二维（2D）封装技术正逐渐被更先进的二维点五（2.5D）和三维（3D）封装技术所取代。2.5D封装通过精细布线的中介层，缩小了芯片之间的间距，增强了信号传输带宽，而3D封装则通过垂直堆叠芯片，大幅减少安装面积，进一步提高了密度。

近期，一种称为“3.5维（3.5D）”的封装技术亮相，它结合了2.5D和3D封装的优点，进一步提升了集成密度和操作性能。AMD在其最新GPU产品“MI300系列”中采用了3.5D封装技术，通过硅中介层大幅增加了传输通道数量，提高了性能。英特尔也在开发3.5D封装技术，并在ECTC 2024上展示了其研究成果，包括3μm间距的HBI技术，这标志着向更高密度封装的重大进展。

此外，台积电的3D堆叠SoIC技术计划在2027年前将凸块间距缩小至3μm，这将使得芯片之间的连接数量大幅增加，从而显著提升芯片的带宽密度。这种技术的进步对于构建大型、超密集的分解式处理器设计尤为重要，能满足高性能计算（HPC）客户对面积和性能的严苛要求。

这些先进封装技术的发展不仅提高了半导体器件的性能，也带来了技术上的挑战。混合键合作为连接技术之一，虽然被看作是提高硅芯片之间连接密度的最有前途的方法，但其技术难度不容小觑。不过，可以预见的是，随着技术的不断成熟，未来半导体封装将实现更高的集成度，为电子产品带来革命性的改进。