文章摘要
【关 键 词】 半导体、EUV光刻、晶体管、碳纳米管、高功率扫描
随着人工智能和超连接性的普及，半导体行业预计在未来十年内规模将翻一番。然而，微芯片的需求量空前高涨，技术困境也随之而来。晶体管不断小型化至3纳米及以下，这要求完美的执行和制造。21世纪以来，晶体管的缩小趋势（从90纳米到7纳米及更小）推动了技术进步。在过去十年中，我们已经见证了将500亿个晶体管安装到单个芯片上的壮举，这得益于极紫外（EUV）光刻技术，该技术使用EUV光打印更精细的集成电路（IC）图案。
半导体制造业的领导者们正争相将EUV系统部署到大批量生产中，第一批高数值孔径（High-NA）EUV工具已经安装。这些复杂的机器有望进一步缩小特征尺寸，同时提高生产效率。然而，EUV光刻过程中实现零缺陷的关键挑战仍然存在。
EUV掩模是高精度模板，用于半导体制造过程中在硅片上创建复杂的图案。它充当模板，阻挡晶圆的某些区域暴露在EUV光下，从而将所需的图案蚀刻到硅片上。在EUV掩模进入扫描仪之前，可能会出现三种常见类型的缺陷：表面缺陷、层内捕获的微小颗粒和分层过程中产生的缺陷。光掩模也可能出现缺陷，因为EUV扫描仪本身可能就是缺陷的来源。
碳纳米管（CNT）膜擅长过滤污染物以保护光掩模。Canatu为EUV薄膜开发了先进的CNT膜，具有独特的性能组合。未涂层的Canatu CNT膜在EUV下具有高透射率（>97%T）、最小眩光（<0.2%）和真空下高热稳定性（>1,500°C）。高透射率意味着更多的EUV光穿过薄膜到达晶圆，从而提高产量。低光斑（散射）确保即使是最微小的特征也可以高精度地打印在晶圆上，而不会造成图案失真。高耐热性、化学惰性和高压差耐受性确保基于CNT膜的EUV薄膜能够承受下一代高功率扫描仪环境的强烈抽真空和通风循环，同时保持其光学特性。
随着EUV光刻技术彻底改变了半导体制造业，CNT膜成为保护光掩模在掩模检查和EUV光刻工艺中免受污染的理想选择，同时确保芯片生产更清洁、更精确。CNT的卓越性能使其成为EUV光刻技术的多功能和面向未来的材料，可减少缺陷、提高成品率，并最终实现生产更小、更快、更可靠的芯片。
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【原文作者】 半导体行业观察
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