疯狂内卷的SiC：囚徒困境与破局之道

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文章摘要

碳化硅（SiC）市场近年来经历了从蓝海到红海的快速转变，全球市场规模预计到2030年将突破103亿美元，但行业内部却陷入了激烈的价格战和产能过剩的困境。SiC的主要应用集中在汽车相关领域，占据72%的市场份额，而光伏储能、服务器电源及轨道交通等应用则瓜分了剩余的21.5%。尽管年复合增长率高达20%，国内厂商在全球市场的份额虽有亮点，但整体产值仅为4亿美元，与海外36亿美元的产值相比，差距悬殊。

价格战的根源在于产能过剩和零和博弈。SiC衬底的生产周期长，国内厂商多采用重资产模式，试图以规模弥补质量短板，结果导致产能过剩，引发价格战。厂商为了生存，纷纷祭出“价格屠刀”，试图通过低价抢占市场份额，但这种策略让整个行业陷入囚徒困境，合作共赢的共识难以实现。此外，互联网资本的涌入带来了急功近利的副作用，部分企业靠低价倾销换取市场，优质厂商却因成本压力被挤出赛道，形成了“劣币驱逐良币”的局面。

沉没成本的高门槛也加剧了价格战的激烈程度。SiC产业的进入门槛高，动辄数亿元的设备投资、漫长的研发周期以及高昂的试错成本，让企业一旦入局就难以抽身。沉没成本如同紧箍咒，逼迫厂商在价格战中“硬刚到底”，退场意味着血本无归，继续战斗至少还有一丝希望。

面对价格战的泥潭，国内厂商需要跳出“囚徒困境”，从技术、产品、市场、标准和政策五个维度寻找破局之道。首先，厂商可以借鉴日本企业的成功之道，聚焦细分领域，打造差异化竞争力。例如，针对新能源汽车的OBC市场，开发高效率、低成本的SiC模块，或在光伏储能领域推出定制化的SiC器件。其次，厂商可以通过丰富产品矩阵，从“卖零件”升级为“卖系统”，提升系统性能和附加值。此外，国内厂商应加大研发投入，探索下一代宽禁带半导体材料的应用，同时优化SiC生产工艺，提升晶体质量和良率。

制定行业标准和行政调控也是破局的关键。行业标准的缺失是SiC价格战的一大诱因，国内厂商应联合上下游企业，制定SiC器件、模块及应用的标准，规范市场竞争。政府则可通过合理约束进出口、控制市场规模、退补或降低补贴以及严惩倾销等手段，引导行业健康发展。

SiC行业的终局，不是“赢者通吃”，而是“适者生存”。拥有核心技术的企业，才能在SiC市场站稳脚跟。国内厂商需加大研发投入，提升SiC衬底质量、器件性能及系统集成能力。同时，高效运营是企业的“造血”之道，厂商应优化供应链管理，降低生产成本，通过差异化产品和品牌建设，提升市场议价能力。投机取巧的企业终将被历史淘汰，只有脚踏实地、专注技术与市场的企业，才能在SiC行业的“长跑”中笑到最后。

SiC市场的未来，属于那些既有技术硬实力，又有运营软实力的企业。面对产能过剩、零和博弈、劣币驱逐良币等挑战，国内厂商需要以日本企业的“唯一”精神为指引，通过丰富产品矩阵、升级技术赛道、制定行业标准和借助行政调控，跳出“囚徒困境”，驶向“共赢蓝海”。