日本存储，新的希望？

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文章摘要

日本半导体产业在20世纪80年代和90年代曾占据全球市场半壁江山，但到了2023年，日本半导体企业已无一跻身全球前十。内存曾是日本半导体产业的顶梁柱，但随着技术革新和市场竞争的加剧，日本在存储领域逐渐丧失了优势。目前，DRAM市场主要被韩国三星和SK海力士以及美国美光三大巨头所垄断，三家公司合计占据约90%以上的市场份额。日本企业中，仅有铠侠（东芝2021年分拆出来的内存部门）在NAND闪存领域仍具有一定竞争力。

面对市场竞争，日本企业开始转向新型存储技术，试图在这一新兴领域寻求新的增长点。新型存储技术如MRAM、FeRAM等，在速度、功耗、耐久性等方面展现出显著优势，为物联网、人工智能等新兴应用提供了更广阔的发展空间。铠侠（前身为东芝存储）在新型存储技术上的布局备受关注，与SK海力士联合研发的高容量交叉点MRAM技术，实现了MRAM最小单元半间距20.5纳米的读写操作。富士通半导体则在FeRAM和ReRAM上发力，FeRAM的读写速度更快，读写耐久性也是FeRAM最大的特点之一。尽管FeRAM在特定市场领域具有优势，但其发展也受限于容量和成本两个主要瓶颈。

日本在发展新型存储技术方面具备显著的优势，包括在材料科学和精密制造领域的技术积累、半导体设备领域的支持以及传统存储领域的研发经验。然而，日本企业在新型存储领域的探索仍面临技术壁垒、市场接受度和竞争激烈等挑战。新型存储技术能否成为日本半导体业重回巅峰的救命稻草，取决于日本企业能否保持创新和耐力，并在全球半导体竞争中找准自己的定位。