披露1.4nm细节，英特尔更新晶圆代工路线图

79 0 0

文章摘要

英特尔在最近的晶圆代工大会上详细介绍了其最新的工艺节点进展，特别是14A和18A节点的开发与生产计划。14A节点是继18A之后的下一代产品，预计将成为业界首个采用高数值孔径EUV光刻技术的节点。英特尔已与多家客户共享了14A的工艺设计套件，并计划在2027年推出该节点。14A将采用第二代PowerVia背面供电技术和RibbonFET 2环绕栅极技术，进一步提升芯片的性能和能效。此外，英特尔还引入了“turbo cell”技术，旨在优化芯片的速度和功耗平衡。

18A节点目前已进入风险生产阶段，并计划于今年晚些时候实现量产。该节点是业界首个同时采用PowerVia背面供电网络和RibbonFET环栅晶体管的产品化节点，显著提高了晶体管密度和开关速度。英特尔还推出了18A-P和18A-PT等扩展节点，分别针对高性能和3D堆叠应用进行了优化。18A-PT节点支持Foveros Direct 3D混合键合技术，能够在更小的间距内实现芯片的垂直堆叠，进一步提升集成度和性能。

在成熟节点方面，英特尔已完成16nm节点的生产流片，并与联华电子合作开发12nm节点，预计于2027年投入生产。这些节点主要面向移动通信基础设施和网络应用，进一步扩展了英特尔在成熟工艺市场的布局。

英特尔的先进封装技术也是其战略重点之一。公司推出了多种封装解决方案，包括Foveros Direct 3D、EMIB 2.5D等，旨在满足不同客户的需求。这些技术不仅提高了芯片的集成度和性能，还通过优化互连技术降低了功耗和成本。英特尔还与安靠公司合作，进一步扩展其先进封装能力，为客户提供更多灵活的选择。

总体而言，英特尔通过不断推进先进工艺节点和封装技术的开发，展示了其在半导体制造领域的强大竞争力。14A和18A节点的成功开发与量产，标志着英特尔在重夺制造领先地位方面迈出了重要一步。同时，公司在成熟节点和先进封装领域的持续投入，也为其在多样化市场中提供了更多的增长机会。