安世半导体驱动“光储充”系统革新，加速基建领域高效优质化步伐

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文章摘要

中国新能源电动汽车市场正快速发展，但充电设施配套程度不足，能源效率有待提升。为解决这些问题，技术创新和能效转型至关重要，光伏储能充电一体化系统和功率半导体器件、IC芯片的应用成为关键。工信部规划显示，到2025年和2030年，我国将分别实现电动汽车与充电桩设施数量的车桩比2:1和1:1。光储充一体化充电站作为新能源汽车与可再生能源产业融合的切入点，通过配置光伏、储能系统实现削峰填谷，维持电网稳定，并为新能源车提供清洁电能，有效解决传统充电桩用电对局域电网的冲击。

国家政策对光储充一体化充电站建设保持高度关注和鼓励，从2020年至2024年，相关政策不断出台，推动光储充一体化电站建设。安世半导体提供的解决方案覆盖光伏逆变器、储能变流器和EV充电桩三大板块，提供多样化选择，满足不同应用需求。近期，安世半导体推出多款半导体IC芯片，进一步丰富其光储充一体化系统的解决方案。这些产品包括NGD4300 120 V半桥栅极驱动器、NEX80806 AC/DC反激式控制器、NXF650x驱动器变压器等，具备高性能、高效率特点，满足光储充系统的需求。

在功率器件方面，安世半导体采用业界领先的产品，如GaN HEMT高电子迁移率晶体管、SiC MOSFET、SiC二极管、IGBT和中低压MOSFET等，促进光储充系统实现更高的性能水平。特别是GaN FETs器件和SiC MOSFET器件，具有优异的性能，适用于光伏逆变器、储能系统等高性能功率变换方面的应用。安世半导体致力于通过创新技术，为光储充系统提供更高效的解决方案，满足不断增长的能源需求，以可持续、高效和环保的方式实现。