存储芯片，再被看衰

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文章摘要

近期，存储芯片市场面临多重挑战，尽管早前有机构看好其前景，但目前多个分析师和机构表达了对存储前景的看衰。中国台湾存储模组厂商的库存普遍高达11个月，DRAM价格下滑可能导致库存损失成为常态。内存市场受到AI服务器需求的人为推动，但供应过剩，价格调整即将到来。

DRAM和NAND行业再次面临消费需求下降的压力，合约价格在短短一个月内下跌了近20%。DRAM市场经历了过山车般的波动，需求跌至历史最低点。制造商通过降价清空库存，但市场已经降温，价格已下跌两位数百分比。价格下跌的另一个原因是内存制造商仍处于库存调整阶段，DDR4标准在市场上很难销售，而DDR5模块目前需求量很大。

美光科技的最新财报显示，尽管公司盈利表现强劲，但库存周转天数略有增加，未达到去库存目标。其他上游制造商的库存管理结果好坏参半。业内人士指出，上游制造商抵制降价，而下游客户对下新订单持谨慎态度，可能导致模块制造商出现大量库存减记损失。

分析师陆行之表示，存储市场库存爆量，连存储模组龙头金士顿也撑不到一个月，选择降价促销。预计接下来还会有厂商跟进，尤其是A-data、Transcend、Phison等。他进一步指出，存储公司将大量库存出售给下游模组厂，导致中国台湾内存模组厂商在今年第二季平均库存高达7.8个月，部分公司库存更达9~11个月。

Jim Handy指出，内存业务表现良好，但这个行业肯定是偏离潮流的，这意味着它不太可能在较长时间内保持目前的强势。当前的激增是一个需求驱动的周期，而不容否认的是，很多需求都来自超大规模数据中心的大规模AI购买。我们很难预测这种周期的持续时间。

知名分析机构Techinsights在报告中也强调，虽然人工智能是这些市场预期的主要驱动因素，但必须考虑到人工智能发展突然放缓的可能性。无论是由于宏观经济逆风、人工智能投资回报递减，还是扩展人工智能模型的技术障碍，人工智能进展的显著减速都会对内存市场产生深远的负面影响。

Techinsights的报告中，他们对未来一年内存市场的五大预期，以及可能颠覆一切的潜在破坏因素。AI持续推动高带宽内存(HBM)的发展，人工智能推动对高容量SSD和QLC的需求，资本支出投资大量转向DRAM和HBM，边缘人工智能开始兴起，但要到2026年才会产生影响，数据中心对人工智能的关注推迟了传统服务器的更新周期。

尽管内存市场前景乐观，但预计中长期内市场仍将持续波动。早期人工智能驱动的需求波动，加上内存供应商过度和不足的投资周期，可能会造成供需之间的周期性失衡。尽管如此，整体市场情绪仍然看涨，需要对技术和产能进行大量投资，以满足各种应用对DRAM和NAND日益增长的需求。预计2024年NAND收入将达到700亿美元，DRAM收入将达到1000亿美元。展望未来，受供应紧张和人工智能等新兴技术推动的强劲需求增长支撑，预计2025年整体内存市场收入将超过2500亿美元。