存储芯片的两个输家，再拼一把

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文章摘要

全球存储市场目前由三星、SK海力士和美光三大巨头主导，它们分别在全球DRAM和NAND闪存市场中占据主导地位。根据2025年第一季度的数据，SK海力士以36%的DRAM营收份额位居榜首，三星和美光紧随其后，三家合计占据全球DRAM市场94%的份额。在NAND闪存领域，三星以31.9%的市占率领跑，SK海力士和美光分别占据16.6%和15.4%的市场份额。三星凭借垂直整合优势和持续的研发投入，长期霸占存储市场的头把交椅，但今年第一季度在DRAM领域被SK海力士超越。

SK海力士在HBM（高带宽内存）市场取得了显著突破，凭借领先的制程工艺和稳定的产能输出，占据了近七成的市场份额，成为英伟达等AI巨头的核心合作伙伴。HBM作为高性能计算的关键组件，随着AI算力需求的爆发，SK海力士在这一领域的成功为其带来了巨大的竞争优势。美光则通过稳健的技术迭代和多元化产品矩阵，在PC、智能手机和数据中心等主流市场保持强劲的议价能力。

然而，存储市场的竞争并非一成不变。英特尔和日本存储产业的兴衰为行业提供了深刻的教训。英特尔曾以存储技术起家，但在1980年代因成本劣势退出DRAM市场，转向CPU领域。尽管英特尔在闪存时代进行了二次探索，但由于商业化困境，最终在2025年彻底退出NAND业务。日本存储产业在1980年代曾占据全球DRAM市场的半壁江山，但由于错失3D堆叠技术先机和成本控制失利，最终在价格战中全线溃败，如今仅存的铠侠（原东芝存储）只能在细分市场艰难求生。

存储市场的竞争不仅是技术创新的较量，更是战略抉择和产业政策的博弈。英特尔与软银的合资公司Saimemory试图通过开发基于堆叠式DRAM的新型AI内存芯片，绕开HBM的专利壁垒，降低功耗和成本，重新进入存储市场。这一技术路线已获得东京大学等机构的专利支持，预计在2030年前实现商业化。Saimemory的目标是抢占AI数据中心的低功耗存储需求，打破三星、SK海力士和美光在HBM市场的垄断格局。

这场“输家联盟”的合作标志着存储市场竞争维度的升级，从单纯的制程竞赛转向架构创新与生态整合。Saimemory的技术路线若成功，可能重塑AI存储市场的竞争逻辑，推动存储技术从单一性能竞赛转向“性能-功耗-成本”多维竞争。然而，面对三大巨头的技术迭代壁垒与生态封锁，Saimemory的突围之路仍充满挑战。其技术可行性与市场接受度尚存悬念，产能稳定性和良率控制也是项目落地的关键障碍。

总体而言，存储市场的竞争格局正在经历深刻的变化。技术路线的创新、战略合作的深化以及产业政策的支持，都将成为未来存储市场权力重构的关键变量。这场博弈的最终结果将取决于技术落地速度与市场接受度，而Saimemory的每一步试探，都在改写存储产业的可能性边界。