文章摘要
【关 键 词】 芯片技术、存储技术、三星创新、SK海力士、铠侠发展
在即将到来的12月，全球芯片行业的领军企业将齐聚旧金山，参加IEDM大会，展示他们在存储技术领域的最新研究成果。三星、SK海力士、美光和铠侠等公司已经透露了他们将在大会上展示的技术亮点。
三星在本届IEDM上展示了多项技术，包括一种14nm汽车eMRAM技术，该技术具有世界最佳的10 pJ/bit写入能量和超过1E12次循环的高耐久性。此外，三星还提高了MTJ设备的开关效率，实现了超过1E12次循环的高耐久性，并支持automotive grade-1。三星还成功开发了与8nm逻辑节点兼容的汽车应用嵌入式MRAM，实现了0.017μm2单元上90%的良率。三星还研究了非晶硫族化物材料，以用于SOM应用，并从3888个样本中确定了18个有希望用于未来3D X点内存的候选者。三星还介绍了利用非晶BN能量势垒对3D V-NAND闪存器件进行空间电荷陷阱工程的技术，以及电可擦除氧化物半导体通道电荷捕获闪存（OSCTF）存储器。
SK海力士在本届IEDM上也展示了多项技术，包括超高密度的3D铁电NAND（FeNAND）阵列，用于超大规模AI模型模拟计算。SK海力士还展示了使用3D电荷陷阱闪存（CTF）单元的PLC NAND闪存，并提出了一种新的编程算法来管理STDR效应。SK海力士还介绍了一种内存加速器（AiM）设备和基于AiM的LLM推理加速系统，以及对晶体IGZO沟道器件的传输特性进行了全面研究。
铠侠将在IEDM 2024期间展示新的DRAM存储级内存和3D-NAND技术。铠侠将推出一种利用氧化物半导体的新型DRAM，重点是降低功耗、适用于SCM应用的更大容量的MRAM，以及具有卓越位密度和性能的新型3D NAND结构。铠侠还与南亚科技联合开发了氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）技术，并与SK海力士联合开发了基于MRAM的存储级内存。
美光也在IEDM上分享了对存储技术的开发，例如研究了单硫族化物Xpoint存储器（SXM）极性效应背后的物理机制，并提出了第一个能够解释SXM存储器技术基本功能特性的物理模型。
这些技术的发展和创新，预示着存储技术的未来将更加高效、可靠和先进。
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【原文作者】 半导体行业观察
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