文章摘要
【关 键 词】 美光财报、HBM增长、内存市场、技术竞争、AI芯片需求
美国存储器公司美光即将公布2025财年第一季度财报，业界关注其前景。美光预计，受HBM等高附加值产品影响，本季度销售额将持续增长，预测中位数为87亿美元，比去年同期高出84%。然而，内存市场不确定性增加，通用存储器需求持续低迷，中国企业积极扩大产量，存储未来引发担忧。市场研究公司Trend Force数据显示，通用DRAM产品固定交易价格环比下跌17.07%，NAND价格也连续三个月下跌两位数。DRAM价格大幅下跌，可归因于供需双方的不利因素，引发对更广泛经济影响的担忧。
韩国本土存储器企业三星电子和SK海力士面临挑战。股市有下调两家公司目标股价的趋势。三星电子更换存储业务负责人，投资大规模生产1c DRAM，以应对竞争。1c DRAM是第六代10纳米DRAM，预计从明年开始全面商业化。三星电子的1c DRAM在供应下一代HBM的竞争中具有重要意义。然而，三星电子是否能够成功量产1c DRAM和HBM4仍不确定。
SK海力士在HBM方面实现反超，计划将部分DRAM关键人员派往清州，扩大HBM生产能力。SK海力士预测，随着对AI芯片的需求不断增长，明年对HBM的需求将超过预期。在NAND方面，SK海力士开始量产321层3D NAND，赢得闪存层数竞赛。
三星电子和SK海力士都在押注HBM和CXL等高价值技术。三星在OCP全球峰会上展示了CXL技术进展，计划在2024年底前量产符合CXL 2.0协议的256GB CMM-D。SK海力士重申生产HBM4的承诺，计划于2025年下半年开始量产，随后于2026年推出HBM4E。两家公司还在合作标准化LPDDR6-PIM产品，以加快人工智能专用低功耗存储器的标准化。
尽管存储巨头面临挑战，但存储行业是否会迎来新的HBM技术，引起新的转变，仍需观察。市场大势应该不会改变，但美光在HBM上的追击和铠侠的动向也会对市场的未来产生影响。
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【原文作者】 半导体行业观察
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