国产混合键合设备，重磅发布

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文章摘要

青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司近日宣布推出全球首台C2W&W2W双模式混合键合设备SAB8210CWW，标志着该公司在半导体键合集成技术领域的又一重要突破。该设备具备多尺寸晶圆兼容、超强芯片处理能力、兼容不同对准方式等优势，能够显著减少设备投资支出、占地面积，并大幅缩短研发转量产周期。SAB8210CWW为Micro-LED、NAND/DRAM/HBM等存储器、堆叠集成电路（SIC）和系统级芯片（SoC）提供了广泛支持，进一步巩固了青禾晶元在先进半导体键合集成技术与解决方案领域的领先地位。

在后摩尔时代，混合键合技术逐渐成为主流。随着摩尔定律的推进受限，芯片制造商难以继续缩小晶体管尺寸，先进封装技术成为提高芯片性能的有效手段。混合键合作为先进封装的关键技术，通过高精度实现金属-金属和氧化物-氧化物面对面堆叠，显著提升了芯片性能。W2W混合键合已在多个领域广泛应用，而C2W混合键合也在快速兴起，成为异质异构集成的主流技术。然而，混合键合技术在实现过程中仍面临诸多挑战，如键合精度和C2W键合效率等问题，这促使行业不断进行技术创新。

SAB8210CWW设备是青禾晶元技术创新的集大成者。该设备采用高度灵活的模块化设计，支持C2W和W2W双模式混合键合，实现无缝适配研发与生产需求，提升设备使用率。设备可兼容8寸和12寸晶圆，通过更换部件快速切换，满足不同尺寸晶圆的键合需求。此外，SAB8210CWW能够处理厚度最薄至35μm的超薄芯片，并具备全尺寸兼容性，从0.5×0.5mm到50×50mm的芯片均可处理，保证生产良率和可靠性。设备还提供片间同轴和红外穿透两种对准方式，对准精度优于±300nm（同轴）和±100nm（红外），应对不同尺寸和材质的芯片。通过键合方式创新，设备最大程度减少了颗粒污染的风险，实现高良率键合。C2W和W2W键合技术实现±30nm的对准精度和±100nm的键合精度，C2W单键合头UPH最高可达1000片/小时。设备还配备高精度高通量检测模块和内置算法，实现负反馈偏移补偿，确保键合精度的稳定性和一致性。

青禾晶元作为中国半导体键合集成技术的高新技术企业，核心业务涵盖高端键合装备研发制造与精密键合工艺代工。公司技术广泛应用于先进封装、半导体器件制造、晶圆级异质材料集成及MEMS传感器等前沿领域，通过“装备制造+工艺服务”双轮驱动，构建全产业链解决方案。青禾晶元已成功开发四大自主知识产权产品矩阵：超高真空常温键合系统、混合键合设备、热压键合装备及配套工艺服务。公司通过持续技术创新，致力于为全球半导体产业链提供高精度、工艺稳定、高性价比的键合装备与方案，助力战略新兴产业崛起。

以SAB 82CWW系列为起点，青禾晶元将持续深耕先进键合技术，加大研发投入，推出更多满足客户需求的产品，携手全球合作伙伴，推动半导体异质集成技术迈向新高度。