台积电进军埃米芯片,主攻背面供电

AIGC动态4个月前发布 admin
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台积电进军埃米芯片,主攻背面供电

 

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【关 键 词】 台积电A16埃米级芯片背面供电技术革新摩尔定律

台积电在2024年北美技术论坛上发布了其A16制程技术,标志着公司正式进入埃米级芯片领域。这项技术采用了台积电独有的“超级电轨”架构(SPR),并结合了背面供电解决方案,预期将显著提升芯片性能,并在延续摩尔定律的基础上制造更小尺寸的芯片。晶背供电技术通过将电源网络移至硅晶圆的背面,释放正面空间以增加信号网络布置,从而提高逻辑密度和性能,同时降低IR压降,提高生产良率。

台积电的A16制程结合了2纳米纳米片电晶体技术,预计速度将提升8-10%,功耗降低15-20%,芯片密度最高提升1.1倍,并计划于2026年正式投产。此外,台积电的背面接触技术维持了与传统正面供电相同的闸极密度和布局灵活性,提供了密度和速度上的优势。

除了台积电,其他国际半导体巨头也在积极布局背面电轨技术。比利时微电子研究中心(imec)与Arm合作,在2022年的VLSI Symposium上展示了BSPDN技术,通过纳米级硅穿孔(nTSV)连接分离电源与信号源。英特尔在2024年2月发布了未来四年的5节点计划,包括搭载晶背供电技术的20A和18A制程。三星也在其晶圆代工论坛上展示了含有BSPDN的SF2Z和SF1.4制程,预计2025年投产。

晶圆背面供电技术的实现将推动芯片技术节点的进一步发展,提高逻辑IC等芯片的性能和空间利用。然而,这项技术也面临一些挑战,如散热问题、金属层剥离风险以及供应链和技术的适应性等,这些问题需要进一步的研究和解决。

总之,台积电的A16制程和晶背供电技术展示了公司在埃米级芯片领域的领先地位,同时也引发了其他半导体巨头在这一领域的竞争。随着技术的不断发展和挑战的克服,我们期待看到更高性能、更小尺寸的芯片为各种应用带来革命性的变革。

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【原文作者】 半导体行业观察
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