台积电先进制程：加速赴美，10座工厂同时开建

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文章摘要

美国商务部已批准向台积电亚利桑那州厂（TSMC Arizona）提供66亿美元补助，用于建设三座晶圆厂。TSMC Arizona的总投资额预计达到650亿美元，其中第一座4纳米晶圆厂计划于2025年上半年投产，第二座2纳米制程晶圆厂预计2028年量产，第三座晶圆厂则计划在20年代末采用2纳米或更先进制程技术生产。台积电董事长魏哲家强调，此次合作对美国半导体生态系统至关重要，将加速美国在5G/6G及AI时代的领导地位。

台积电的A16纳米片制程技术，作为2纳米技术的强化版，将在美国厂复制。台积电的迭代制程演进显示，4/5纳米制程于2020年量产，与美国第一厂量产间隔五年；第二厂若包含2纳米制程，预计2028年量产，与台湾2025年量产仅间隔三年，显示追赶时间差缩短。A16预计2026年量产，将投放美国厂，而台湾届时可能已推进至A14。

美商务部文件规定，台积电五年内不得回购股票，且若项目获利超过预期，需向政府返还一定比例资金。预计年底前，美商务部至少向台积电发放10亿美元，同时带来更严格的监管。

台积电正全球布局，2025年将同时推进十个厂的建设，包括在台湾的七个厂和海外的三个厂，创下公司及全球半导体业的新纪录。法人预计，台积电2025年资本支出可能达到340亿至380亿美元，挑战历史新高。

台积电对EUV和High NA EUV技术的投资有望塑造半导体制造的未来，预计将于2024年9月从ASML获得首台High NA EUV光刻系统“EXE:5000”。High NA EUV扫描仪对于台积电开发2纳米以下工艺至关重要，计划将该技术纳入1.4纳米（A14）工艺，预计2027年量产。这些投资将使台积电生产更强大的芯片，以满足AI等应用的需求。