三星最新芯片路线图：工艺、封装和存储

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文章摘要

三星最近举办了一场代工论坛，旨在重新调整行业对其竞争力和产能的预期。三星希望通过此次活动，吸引AI初创公司、汽车客户和智能手机制造商等高性能设计领域的支持。此次活动的重点是其SF2Z工艺节点的路线图，SF2Z代表2nm级别的背面供电节点，并集成了Gate-All-Around技术（MBCFET）。三星预计将在2027年实现SF2Z的量产，同时SF1.4节点也将在同年开始风险生产。

三星的代工厂主要分布在韩国和美国。韩国的主要设施包括器兴、华城和平泽，而美国的设施位于德克萨斯州的奥斯汀和泰勒。泰勒的新建工厂将成为三星在韩国以外的最大扩张计划，旨在为美国企业提供全面的现场运营支持。

三星的制造技术路线图包括SF4和SF2系列。SF4系列主要采用FinFET技术，适用于智能手机和AI初创公司。SF4P节点针对智能手机领域，SF4X节点则适用于AI和高性能计算（HPC）用户。SF2系列采用MCBFET（GAA）技术，预计在2027年实现大规模生产。SF2Z节点将引入BSPDN技术，以提高性能和能效。

在内存方面，三星展示了其在DRAM、NAND和SSD市场的领先地位。三星的内存路线图包括从SRAM到HBM4的多个层级。HBM4预计在2026年推出，速度将达到2048 GB/秒。三星还计划通过定制HBM来满足高性能硬件的需求。

封装技术方面，三星在智能手机和AI加速器领域都有所涉猎。智能手机封装技术包括I-POP、FOPLP和FOWLOP等。AI芯片封装路线图显示，三星计划在2024年推出2.5D interposer+，并在2026年和2027年引入2.xD和3D封装技术。三星还在投资共封装光学器件（CPO）战略，以实现快速数据传输。

三星的长期目标是保持在芯片制造和封装技术领域的领先地位。通过此次论坛，三星展示了其在先进封装市场的能力和未来发展方向。预计未来将有更多公开讨论和数据展示，进一步巩固其市场地位。