三星最后的防线，失守？

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文章摘要

韩国SK海力士公司近期宣布量产全球首款321层1Tb TLC NAND闪存，这一技术突破在数据传输速度、读取性能和电力效率方面均有所提升，且进度超过了存储行业龙头三星。SK海力士计划利用这一技术优势，积极拓展人工智能（AI）低功耗高性能的新兴市场。与此同时，三星在HBM和DRAM技术上也面临着SK海力士的激烈竞争，后者在HBM3的供应上几乎包揽了英伟达的订单，而三星尚未有明显的HBM3供应表现。在DRAM领域，三星的领先地位也受到了挑战，美光科技在10纳米级第四代DRAM量产上领先，使得三星的统治地位受到动摇。此外，三星在NAND技术上也输给了SK海力士，后者率先推出了300层NAND产品。面对这些挑战，三星正在进行大规模的改革，包括对半导体部门领导层的调整，以提升全球芯片市场竞争力。尽管如此，三星在CXL技术和PIM（内存处理）技术上仍保有技术优势，但这些技术短期内难以转化为市场竞争力。三星的市场份额虽然依旧领先，但SK海力士依托快速增长的eSSD市场，有可能迅速缩小这一差距。